河北普兴电子科技股份有限公司专利技术

河北普兴电子科技股份有限公司共有31项专利

  • 本发明涉及用于碳化硅单晶生长的坩埚盖、坩埚及单晶生长的方法,坩埚盖,包括盖体,所述盖体顶部设有空腔,所述空腔内设有调节体,所述调节体顶部设有提拉机构,所述提拉机构带动所述调节体运动。坩埚盖上设有空腔及调节体,在单晶生长阶段可以改变空腔的...
  • 本发明公开了一种碳化硅晶体高温退火处理方法,属于碳化硅晶体生长结束后处理领域,包括以下步骤:在碳化硅晶体表面制作保护膜;将带有保护膜的碳化硅晶体放入石墨坩埚,高温退火。本发明实施例中的保护膜可以防止晶体在高温下出现蒸发升华,以及在表面产...
  • 本实用新型提供了一种多功能圆规,属于碳化硅晶体生长辅助材料加工工具技术领域,包括工作台、用于对工作台上的辅材材料表面划线的划针本体、与所述划针本体相连的定心回转机构以及用于调整所述划针本体位置的定位支架,所述定心回转机构与所述定位支架活...
  • 本发明提供了一种碳化硅晶体生长热场旋转装置,涉及碳化硅晶体制作设备技术领域,包括基座、供气管组件、坩埚、加热保温旋转组件以及感应线圈,供气管组件的上部贯穿坩埚的底部设置,供气管组件内部设有用于向坩埚中通入工艺气体的供气孔。本发明提供的碳...
  • 硅外延设备用喷淋装置
    本实用新型公开了一种硅外延设备用喷淋装置,属于半导体外延材料制备领域,包括石英钟罩、钟罩上盖和喷淋器,所述钟罩上盖位于所述喷淋器的上方,所述石英钟罩位于所述喷淋器的下方,穿过所述钟罩上盖的连接杆的下端与固定于所述喷淋器上表面的固定螺母螺...
  • 基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法
    本发明公开了一种基于超级背封衬底的外延片电阻率的测量方法,涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤:对基于超级背封衬底的外延片的多晶背封层进行处理,露出二氧化硅背封层,所述处理的位置包含测量位置;将处理后的所述外延片在纯水中进行第一清洗;...
  • 硅外延片及其制备方法
    本发明公开了一种硅外延片及其制备方法,涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤:在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层;在所述低阻外延层的上表面每5μm??10μm生长一层线性渐变外延层,生长时计算所述渐变外延层的线...
  • P+衬底上本征层的生长方法
    本发明公开了一种P+衬底上本征层的生长方法,涉及本征层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤:在P+衬底上生长10微米的第一本征硅层,在第一本征硅层的上表面外延生产第一外延层,外延后清洗表面消除第一外延层表面的氧化层;在第一外延层的表...
  • 硅外延反应腔用梯形基座
    本发明公开了一种硅外延反应腔用梯形基座,涉及化学气相沉积用设备技术领域。所述基座包括梯形基座本体,所述梯形基座本体为筒状多面体结构,所述基座本体的每个侧面上从上到下设有硅片放置槽,所述基座本体相邻两个侧面的连接面上设有档条。通过在所述基...
  • 8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用
    本发明公开了一种8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及在低压MOS器件中的应用,属于半导体外延材料的制备技术领域,外延片厚度在20um以内,电阻率在0?2Ω.cm之间;外延片厚度分布为中心向边缘逐渐变厚,电阻率分布为中心向边缘逐渐走高;最低...
  • 提高外延片片内电阻率均匀性的方法
    本发明公开了一种提高外延片片内电阻率均匀性的方法,涉及硅衬底外延层的制作方法技术领域。所述方法包括如下步骤:利用高纯度的氯化氢气体在高温下对外延炉基座进行腐蚀;向外延炉基座片坑内装入硅衬底片,外延炉升温过程中利用高纯度的氢气吹扫外延炉腔...
  • 常压下P+衬底上生长N?硅外延片的方法及外延片的应用
    本发明公开了一种常压下P+衬底上生长N?硅外延片的方法及应用,属于半导体外延材料制备领域,采用单片外延生长系统,衬底使用6英寸重掺B的P型IC片,晶向<111>,电阻率≤0.006Ω·cm,背封工艺为SiO2+POLY;外包...
  • 本发明公开了一种FRD用硅外延片制备方法,涉及半导体材料在基片上的沉积方法技术领域。包括如下步骤:在硅衬底上表面生长一层本征层;固定硅源流量,将注入的掺杂剂流量逐渐变小,同时将稀释氢流量逐渐变大,在本征层的上表面生长杂质浓度渐变的缓冲层...
  • 重掺磷衬底薄层外延过渡区的调控方法
    本发明公开了一种重掺PH衬底薄层外延过渡区的调控方法,涉及外延层的生长方法技术领域。所述方法包括如下步骤:固定衬底外延生长时单片外延生长系统的温度和TCS流量;在衬底外延生长时,CAP层生长和外延层生长使用相同的掺杂工艺;在外延层生长时...
  • 本发明公开了一种双极型晶体管用双层硅外延片的制造方法,与常规双层硅外延片的制造方法相比,其具有如下特点:第一层硅外延片生长前使用HCl抛光工艺去除硅片表面微损伤;第一层硅外延片生长完成后取出硅片对系统进行刻蚀处理;第二层生长前硅片进行清...
  • 本发明公开了一种P++衬底上P-层硅外延片的制备方法,属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤:(1)选用P+〈111〉/Boron单面抛光片;(2)HCl抛光;(3)吹扫;(4)双层外延生长:采用高纯度SiHCl3沉积,生长电阻率渐变层,...
  • 本发明公开了一种改善硅外延片翘曲度的方法,属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤:(1)准备硅外延片:制取新的硅外延片或取需修复的硅外延片;(2)退火:将准备的硅外延片放入反应室,在650-1050℃下保温10-30min;用10-15分...
  • 本实用新型公开了一种硅外延设备的进气口装置,适用于晶体硅制备技术领域。本实用新型包括石墨基座和石英托盘,所述石墨基座位于石英托盘上,且与石英托盘同心设置,在所述石墨基座的中间圆孔内同心设置有石英环。本实用新型的有益效果如下:通过在石墨基...
  • 本发明公开了一种硅外延层过渡区的无损检测方法,属于硅外延生长技术领域。本发明的方法包括下述步骤:(1)生长前利用电容位移传感器的方法先测量硅衬底片总厚度Tsub;(2)将硅衬底片外延生长,取片后利用红外膜厚测试仪测量硅外延层厚度Tepi...
  • 本发明公开了一种硅外延片背面的硅渣处理方法,其按照下述步骤进行:①准备干净的片盒、宽倒角边的的硅片和净化间专用的吸尘器;②将硅外延片放在上述片盒内,在强光灯下观察所述硅外延片背面的硅渣的状态,确定硅渣的区域;③打开净化间专用吸尘器对准待...
澳彩网
      1. <ins id="knhk5"><rp id="knhk5"></rp></ins>
      2. <ins id="knhk5"><rp id="knhk5"></rp></ins>
              1. <ins id="knhk5"></ins>
              2. <kbd id="knhk5"><track id="knhk5"><listing id="knhk5"></listing></track></kbd>
                <kbd id="knhk5"></kbd>

                <bdo id="knhk5"></bdo>

                <samp id="knhk5"></samp>

                99棋牌| 老棋牌| 天天乐棋牌| 网络棋牌| 博远棋牌| 棋牌平台| 棋牌平台| 99棋牌| 百赢棋牌| 多多棋牌|